למה, איך ומתי מחפשים עבודה – מדריך לסטודנט המבולבל לקראת סיום שנת הלימודים

פורסם בתאריך 3 במאי 2012 על-ידי מיכל עטיה

לקראת סיום שנת הלימודים האקדמית, מוצאים את עצמם אלפי סטודנטים בדילמות רבות ושונות: מתי להתחיל לחפש עבודה? האם לחפש עבודה בתחום שלי, או אולי לנסות עוד דברים? איפה מחפשים עבודה? ולמה לא חוזרים אלי… אז מה אם אין לי ניסיון.. מתישהו צריך להתחיל לא??

החלטתי לשאת לכם כמה עצות, בפוסט שמיועד היום לשתי אוכלוסיות:
סטודנטים במהלך תואר; וסטודנטים בסמסטר אחרון לקראת סיום הלימודים.

למה בכלל כדאי לי לעבוד כסטודנט?

אם לומר את האמת, התשובה מורכבת ולא ברורה מאליה. ניסיון רלוונטי יהווה יתרון אצל המעסיקים, ומצד שני, ציון גבוה בתואר גם הוא חשוב. לכן חשוב למצוא את האיזון – לצבור ניסיון רלוונטי אבל לשמור על ציונים טובים באותו זמן.

המעסיקים מאוד מחפשים את הניסיון, שכן עובד שכבר מבין איך עובדים בארגון ובצוות, מבין מעט מהשפה המדוברת בתעשייה והוכיח שמסוגל לתרגם את ידיעותיו מהעולם האקדמי לעולם המעשי, סביר שזמן הלמידה שלו יהיה קצר באופן משמעותי ממי שטרם התנסה בארגון. כמו כן – מי שעבד ולמד באותו זמן נתפס אצל המעסיק כאדם יותר עצמאי, חרוץ ויעיל, בטח שאם הצליח לשמור על ציונים טובים בו זמנית.

מממ.. שנה ג' זה מוקדם מידי?

אז זהו שלא.. גם אם אתה סטודנט בשנה ג', ונכון שעוד לא "השתפשפת" בתעשיה, זה לא אומר שתוכל לעבוד רק במלצרות. יש כיום מספר חברות המעסיקות סטודנטים עוד משנה ב' או ג', אבל חשוב בעיניי לבחון את אפשרויות התעסוקה לאור האפשרויות האחרות, כלומר – לא ללכת על "עיוור" לכל חברה שנראית טוב או שמעת עליה, אלא לבחון:
מה באמת כולל התפקיד? האם הוא נותן לי יתרון משמעותי בסיום התואר לעומת חבר שיילך לעבוד באותו זמן בבריכת האוניברסיטה כמציל? האם החברה מתייחסת להעסקת סטודנטים ככח עבודה זול וזמני, או כחלק ממערך אסטרטגי לגיוס בוגרים מצויינים בעתיד?

ואיך עושים את זה? שואלים! כן כן, ראיון העבודה הוא גם מקומו של המועמד ("אפילו" סטודנט חסר ניסיון) לשאול ולברר פרטים על החברה והתפקיד. רצוי למצוא תפקיד שנותן ניסיון במקצוע עצמו. יש חברות שנוטות להעסיק סטודנטים במשרות שמהותן עזרה לעובדים המקצועיים וביצוע מטלות שהן יותר בבחינת "backoffice" כמו הכנת נתונים, דוחו"ת או מצגות. ניסיון כזה אמנם נותן לך היכרות עם ארגונים ואולי כמה כלים, אבל לא יעזור לך כשתתבקש מאוחר יותר לבצע משימות מקצועיות גרידא. כך שגם אם בקורות החיים יהיה כתוב "עבודה בחברת X" , כאשר תישאל על מהות העבודה, זו לא תיחשב לניסיון מקצועי.

 

אז מתי מתחילים?

חשוב לבחור במשרה שבה תוכל להצליח. מבחינת התחיבות להיקף המשרה, כדאי לברר מה הדרישות מבעוד מועד ולא לקחת היקף משרה שעלול להוות לך מכשול בלימודים או בעבודה. במקצועות מסוימים סטודנטים בשנה ג' יתקשו מאוד לעבוד ולהמשיך להצטיין בלימודים באותו זמן. אז נכון שבטווח הקצר זה נראה חשוב לצבור ניסיון אבל אסור לשכוח שגיליון הציונים והממוצע בתואר יילכו איתכם עוד שנים קדימה, בעוד 6 חודשי ניסיון כסטודנט הולכים "להתגמד" לאורך השנים.. אז חשוב לעבוד, אבל לא בכל מחיר. עדיף לחכות לזמן שבו תוכל להשקיע גם בלימודים וגם בעבודה (ברוב הפקולטות מדובר בשנה האחרונה) ולהצליח בשניהם, או למצוא עבודה בהיקף משרה קטן יותר.

כדוגמא, אצלנו באפלייד מועסקים סטודנטים במשרה של 50% ומעלה, מתוך אמונה שכדי ללמוד ולהשתלב בעבודה משמעותית ומקצועית, צריך להשקיע זמן בהכשרה והיכרות טובה עם העבודה והעובדים. מניסיוננו, סטודנטים במשרה חלקית מידי לא יצליחו ללמוד את המקצוע בזמן סביר, ולכן לא רק שלא יצליחו בעבודה אלא יצאו מתוסכלים מההתנסות, כך ששני הצדדים עלולים לצאת מופסדים מהחוויה.

מה עם סטודנטים שמסיימים?

כאן חשובה הבחירה אפילו יותר. המשרה הראשונה שלך כבוגר אוניברסיטה, היא לא רק ההתנסות המשמעותית הראשונה בעולם התעסוקה אלא עלולה לקבוע את מהלך הקריירה לאורך שנים קדימה. חשוב מאוד לבחון:

האם החברה אליה אני מצטרף תוכל להציע לי התפתחות מקצועית בהמשך?

האם התפקיד הראשון שלי מציב אותי במקום טוב בשוק העבודה? איך הוא נתפס בחוץ?

האם יש תפקידים דומים בתעשיה גם בהמשך או שמדובר במשרה שאף אחד מחוץ לחברה הזו לא שמע עליו או יידע להעריך אותו?

 

והטיימינג?

מהיכרות עם שוק העבודה בישראל, לוקח כשישה חודשים בממוצע למצוא עבודה טובה. אני מייעצת לבוגרים להתחיל בחיפוש העבודה החל ממרץ-אפריל בשנת הלימודים האחרונה שלהם. חברה שתמצא עובד מתאים בדרך כלל תסכים לחכות חודש חודשיים לתחילת העבודה שלו, או לסירוגין תתגמש בנוגע להיקף המשרה בתחילת הדרך. כמובן שאם מתוכננת נסיעה לחו"ל אחרי הלימודים ליותר מחודש ימים, כדאי לדחות את החיפוש לאחר החזרה.

והכי חשוב – איך מחפשים??

כולכם מכירים את אתרי החיפוש האינטרנטיים. להערכתי קיימים היום עשרות אם לא יותר לוחות אינטרנט בהם תוכלו לסקור משרות, לקבל משרות חדשות במייל ולשלוח קורות חיים. כמוכם עוד רבים אחרים משתמשים באתרים אלה, ואין ספק שזו דרך יעילה להבין מה קיים בשוק. יחד עם זאת, מחפשי עבודה רבים צובאים על דלתותיהן של אותן משרות ולכן קשה להשיג בולטות ובסופו של דבר…. להיות מוזמן לראיון. אז מעבר לטיפים שלי בפוסט הקודם, הרשו לי להדגיש שלושה מקורות מעולים במיוחד עבור אוכלוסיות הסטודנטים והבוגרים, לחשיפה בלתי אמצעית אל המעסיקים:

  1. "חבר מביא חבר": ברוב הארגונים קיימות תוכניות חבר מביא חבר המעודדות את העובדים לשלוח קורות חיים של חבריהם לאיוש משרות פתוחות. מצד החברה, מדובר במקור גיוס הטוב ביותר, שכן הסיכוי לקבל עובד מתאים ומוצלח הוא גבוה מאוד. העובד הממליץ מכיר את שני הצדדים וברוב המקרים יודע להתאים ביניהם. מצד המועמד – גם כן מדובר במידע זמין על החברה והתפקיד, ממקור שאיננו "שיווקי" אלא אמין ומוכר. כלומר – צור קשר עם חברים שכבר עובדים בארגונים מעניינים ושלח להם את קורות החיים שלך. זה win-win
  2. ירידי תעסוקה: בשבועות האחרונים של סמסטר א ו-ב' נערכים באוניברסיטאות ירידי תעסוקה. לירידי התעסוקה מוזמנים מעסיקים להציג את המשרות הפתוחות ולהכיר את המועמדים מקרוב. בניגוד לתפיסה השנויה במחלוקת בקרב הסטודנטים (מה אני אלך לשם? אעמוד בתור? ממילא הם לא עושים כלום עם הטפסים האלה..), הירידים הם הזדמנות חד פעמית ונדירה להציג את עצמך פנים אל פנים בפני גופי הגיוס והמנהלים המגייסים של הארגונים הגדולים והחזקים בשוק! בדוכנים אפשר למצוא לא רק חומרים על החברות, אלא גם פרטי התקשרות ישירות עם המעסיק ויותר מזה – שיחה של כמה דקות עם מנהל/ת שכרגע מחפש אנשים כמוך! לטעמי זו אחת ההזדמנויות אם לא ה.. ולראיה – בשנת 2011 , 15% מכלל הגיוסים הגיעו אלינו ישירות מירידי התעסוקה..
  3. ימי זרקור: המעסיקים הגדולים מקיימים באוניברסיטאות גם מפגשים ייחודיים בין הארגון לפקולטות הרלוונטיות. בימי זרקור תוכלו לא רק להגיע ולשמוע הרצאות על הארגון והמשרות, אלא שוב לזכות לשיחה ישירה עם מנהלים ומנהלות בחברה. וכבר הסברתי מה היתרון של זה נכון?

 אז יאללה… לעבודה..

הביתן של אפלייד מטיריאלס ביריד הגיוס אוניברסיטאת ת"א שנה שעברה. התגעגענו :)

לידיעתכם – ירידי התעסוקה קיץ 2012 :

  • ·         תל אביב: 15 במאי
  • ·         טכניון: 23 במאי
  • ·         גבעת רם, ירושלים: 29 במאי
  • ·         בן גוריון: 30 במאי

6 ליוני 2012 – יום זרקור של אפלייד מטיריאלס במכון לננוטכנולוגיה, בניין 51, אוניברסיטת בן גוריון.

 אני אהיה שם, אשמח לראותכם :)

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

אפשר לרוץ איתו, לקרוא איתו, לקפוץ איתו*. 2011, השנה שהייתה

פורסם בתאריך 4 באפריל 2012 על-ידי גבי אלעזר

פרחי היסמין פורחים; שעון הקיץ חזר; סופות אבק מעיבות על ביעור החמץ וניקיון הבתים…סימן שהאביב הגיע, פסח בא, והוא גם מביא איתו סיכומי שנה! אז מה קרה ב-2011 ומה צפוי לקרות השנה? תשארו איתי…

תעשיית הסמיקונדקטורס מאופיינת בתנודתיות רבה, מאז ומתמיד. אבל השנים האחרונות מלמדות שגם דארווין וגם אנדי גרוב צדקו, כי עכשיו, יותר מתמיד, ברור שרק מי שפרנואיד, שורד- ורצוי שיהיה פרנואיד המתאים עצמו לסביבה משתנה.

לפני שאסקור בקצרה את מהלך 2011, אחזור שנה אחורה. 2010 התחילה בצילו של המיתון הגדול שפקד את התעשייה. היא התחילה רע מאוד אך הגיעה לקו הסיום with flying colors, עם צמיחה של 150% בהצטיידות לפאבים (fabrication facilities) ועם מכירות שצמחו מעל 30% לעומת שנה קודמת. 2010 הייתה אחת משלוש השנים בעלות ההכנסות הגבוהות ביותר בתולדות התעשייה.

2011 התאפיינה אף היא בתנודתיות רבה. תחילה ניבאו שהצמיחה תיהיה מינימאלית או אפסית. השנה הסתיימה אומנם בצמיחה קטנה, אבל לאור אסונות הטבע גדולים (הצונמי ורעידת האדמה ביפן; ההצפות בתאילנד) והמשבר הכלכלי העולמי, זה מפתיע שהייתה צמיחה בכלל. עם סיומה של השנה, התברר שמחזור ההכנסות של 10 היצרניות הגדולות עלה ב- 5.5%. עבור רבות מהן 2011 היתה השנה הטובה ביותר שלהן עד כה.

מי ש"הציל את היום" היה הטאבלט, ובכלל, תחום ה mobile, הכולל טאבלטים וסמארטפונים. המכשירים האלה שכולנו התמכרנו אליהם, המאפשרים לנו באמת לעשות כמעט הכל, הוו את הבסיס לצמיחה השנה. ככל שהטאבלטים והסמארטפונים דחקו את המחשב האישי הצידה, הם גרמו לכך שלראשונה, ההשקעות  בזכרונות NAND Flash היו גדולות יותר מההשקעות בזכרונות המסורתיים מסוג DRAM, הנמצא בליבת המחשבים האישיים. מכירות המחשבים האישיים צנחו 8% השנה, לעומת סמארטפונים, שמכירותיהם עלו ב-13%. ב-2011, כתוצאה ממעבר הצרכנים לחלופות ניידות, מכירות זכרונות ה- NAND  צמחו 20% ל-25 מיליארד דולר לעומת מכירות זכרונות ה-DRAM אשר צנחו 25% לרמה של 29 מיליארד דולר.

מי שלא השכיל להתאים את עצמו לסביבה משתנה, הפסיד ובגדול. Elpida, יצרנית זכרונות ה- DRAM היחידה ביפן, הכריזה בסוף פברואר על פשיטת רגל, כשהיא מדווחת על אחד ההפסדים הגדולים לחברה יפנית אי פעם, בסך כ- 6 מיליארד דולר.

רווחי יצרניות השבבים המובילות, ביחד, צנחו ב 30% השנה, כאשר סך כל הכנסותיהן הראו צמיחה מינימלית. המפסידות המובילות הן יצרניות ה- DRAM, אשר סבלו משחיקה דרמטית במחיר הממוצע לזכרונות אלה, כתוצאה מביקושים דלים למחשבים אישיים. זכרון מסוג DRAM DDR3  נמכר עתה בפחות מדולר אחד!

זו אחת הסיבות בגללה Samsung, אשר בשנים האחרונות הצליחה למצמם את הפעם בינה לבין המובילה Intel, והגדילה בעקביות את נתח השוק שלה בתעשית הסמיקונדקטורס, מ 4% ב- 2000 ל- 9% ב- 2010, סיימה את 2011 בלי להראות צמיחה במחזור מכירות ובלי לנגוס נתח שוק משמעותי.

Intel לעומתה, הרוויחה בגדול, כשהיא מגדילה את נתח השוק שלה ל-16% לעומת 13.5% ב-2010. Intel נהנתה ממכירות חזקות בתחום השבבים וכן מהדחיפה לה זכתה בעיקבות רכישת קבוצת הווירלס של Infineon בתחילת השנה.

אז מה ניבאו לשנת 2011 ומה באמת קרה? הנה כמה תחזיות- חלקן התממשו, חלקן ממש לא….

1. אפלייד מטיריאילס רכשה את Varian
2. המיזוג בין Novellus לבין LAM

מה צפוי לקרות השנה? 2012 צפויה להיות שנה די טובה – לא מעולה, אבל טובה בהחלט:

  •    מכירות סמיקונדקטור שוב יעברו את ה- 300 מיליארד דולר, שנה שנייה ברציפות. השקעות בציוד למפעלי ייצור אומנם יירדו קצת, אבל עדיין יעברו את רף ה 30 מילארד דולר
  •    ניידות נותרה מילת המפתח. יותר מ- 760 מיליון סמרטפונים וטאבלטים יימכרו השנה, עלייה של 39%. לפטופים לעומת זאת, צפויים להראות גידול של 15% בלבד.
  •    פחות ימשיכו להשקיע יותר. שלושת המובילים – Intel, Samsung, TSMC- ישקיעו השנה 14% יותר משנה שעברה. כל השאר לעומתם, ישקיעו ביחד 22% פחות!
  •    שורה תחתונה. אם המצב הכלכלי באירופה ישאר מאוזן; אם המתיחות בין ישראל לאיראן לא תחריף; ואם הצמיחה מסין תימשך – בסך הכל שנת 2012 צפויה להיות שנה טובה מאוד…

*ולסיכום – באמת אפשר לעשות איתו הכל ….

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

איך אומרים מחשבון כיס באיטלקית?

פורסם בתאריך 15 במרץ 2012 על-ידי אושר גילינסקי

מי מאיתנו לא זוכר את ההתרגשות למראה מחשבוני הכיס הסולארים (פוטו-וולטאים) הראשונים שהופיעו בתחילת שנות השמונים. כולנו הרי כיסינו את התא הסולארי הקטן בציפיה לראות את צג המחשבון דועך לו לאיטו, מודים? לקוראינו הצעירים יותר, חשוב להסביר שמה שנחשב היום לטכנולוגיה אלמנטרית ואולי אף פרימיטיבית, היה בעצם אחד השימושים התעשייתיים הראשונים של תאים סולארים. הנקודה המעניינת היא, שהעקרון של התא הסולארי שפותח בשנת 1954 ע"י מעבדות חברת הטלפוניה האמריקנית BELL, לא השתנה משמעותית מאז, הוא פשוט רק התייעל.

(מקור: iStockPhoto)

אז איך בעצם עובד תא פוטו וולטאי?

המצרכים הם: מספר שכבות סיליקון גבישי טעונות, מוליך מתכתי אחורי, ציפוי מונע השתקפות ומעל מקשטים בפסי הולכה קידמיים. את כל זה מניחים מול קרני השמש והופה לה, יש לנו זרם ישר.

מה שהמתכון הפשוט הנ"ל לא מפרט הוא שאנו זקוקים לשכבות סיליקון כך שתהיה בהם שכבה של מטען שלילי מסוג N  ומנגד שכבה של מטען חיובי מסוג P. חיבור בין השכבות יוצר שדה חשמלי. מכיוון שההולכה החשמלית של מולקולת סיליקון מושפעת מהקרנה של אור, כאשר השמש מקרינה על מולקולת הסיליקון נוצרת תנועת אלקטרונים, ובשדה החשמלי נוצר זרם חשמלי.

 

(מקור: אפלייד מטיריאלס)

לאלו מכם שעדיין ערים בשלב זה של ההסבר, חשוב לציין שתא אחד בהחלט לא מספיק. תא אחד מספק כמות קטנה מאוד של חשמל (כשלושה וואט) ולכן בכדי לייצר כמות מספקת של חשמל מאנרגיה סולארית אנו זקוקים בפועל לפאנלים סולארים. הפאנלים הינם מערכות של מספר רב של תאים סולאריים (כ 70 תאים בקירוב) המחוברים זה לזה, ויחד החשמל המיוצר בתאים מועבר באופן אחיד לרשת החשמל או למקור אחסון (כגון סוללה).

 

(מקור: אפלייד מטיריאלס)

עכשיו נשאלת השאלה, איך זה קשור לאפלייד מטיריאלס? ובכן, אפלייד הקימה באמצע העשור הקודם את חטיבת הפתרונות לאנרגיה סביבתית (EES – Energy and Environmental Solutions), אשר שמה לה בין היתר למטרה להיות יצרנית הציוד הגדולה ביותר בתעשיית האנרגיה הסולארית ולאפשר ללקוחותיה להוביל את התעשייה אל העתיד בו מחיר החשמל הסולארי יתחרה עם מחירי רשת החשמל. בכדי להשיג מטרה זו, רכשה אפלייד בשנת 2007 שתי חברות קטנות אשר ייצרו מכונות לתעשיית האנרגיה הסולארית. האחת חברת HCT השוויצרית, הממוקמת בלוזאן והינה מובילה עולמית בייצור מכונות לחיתוך פרוסות סיליקון. כיום החברה נקראת (Precision Wafering Systems (PWS.

החברה השניה היתה חברה איטלקית קטנה בשם בצ'יני. השם בצ'יני (משמעותו: נשיקות קטנות) היה שם משפחתו של ג'יזולפו, מהנדס מבריק, שיחד עם שלושת ילדיו ייצר ושיווק מכונות אוטומציה והדפסה לתהליך הסופי והחשוב בתהליך יצור התא הפוטו-וולטאי. כיום בצ'יני נקראת   Baccini Cell Systems) BCS) והיא ממוקמת ליד העיר היפיפיה טרוויזו (TREVISO) בחבל וונטו (VENETO) אשר בירתו לא אחרת מאשר העיר וונציה. באיזור ציורי זה מייצרת BCS  קווי יצור (המכונות שמיוצרות הינן בעצם קווי יצור אוטומטיים באורך של כ 25 מטרים) המדפיסיים את קווי ההולכה המתכתיים בשני צידי התא. בסוף התהליך, קו הייצור אף בודק ומקטלג את איכות ונצילות התא שייוצר.

 

(מקור: אפלייד מטיריאלס)

בפוסט הבא ארחיב על תעשיית האנרגיה הסולארית בכלל ועל BCS  בפרט.

ודא"ג, מחשבון כיס באיטלקית זה קלקולאטריצ'ה calcolatrice, אריוודרצ'י!

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

דילמת ה- SSD: זכרון DRAM או NAND פלאש?

פורסם בתאריך 22 בפברואר 2012 על-ידי חדווי שפילברג

בפוסט הקודם הכרנו את שחקן החילוף של ההארד דיסקים – דיסק מבוסס צ'יפים SSD – Solid State Drive, ופגשנו בדילמה של התקני ה-SSD : האם סוג רכיבי הזכרון צריך להיות מסוג DRAM או מסוג NAND פלאש?

בטבלה 1 מרוכזים מספר מאפיינים חשובים המבדילים בין שתי הטכנולוגיות.

[מבוסס על נתונים שנאספו מתוך StorageSearch.com]

ממבט מהיר בטבלה נתרשם כאילו התקני ה DRAM  מובילים על התקני הפלאש ברוב הפרמטרים. אבל מה באמת חשוב? מה באמת קובע ?

סגולה לאריכות ימים

בניגוד ל DRAM, להתקני זיכרון ה Flash תוחלת חיים מוגבלת. יתר על כן, לשבבי פלאש שונים יש מספר שונה של מחזורי כתיבה לפני ששגיאות מתחילות להתרחש. שבבי פלאש עם 300,000 מחזורי כתיבה נפוצים, וכיום שבבי הפלאש הטובים ביותר מדורגים מעל 1,000,000 מחזורי כתיבה לכל בלוק (עבור 8,000 בלוקים לכל שבב). עכשיו,  רק בגלל שלשבב פלאש יש מחזור כתיבה נתון, אין זה אומר כי השבב יחל בהשמדה עצמית ברגע שיגיע לסף. זה אומר שלפלאש עם 1,000,000 מחיקות/כתיבה גבול סף הסיבולת יגרום רק ל 0.02 אחוז מאוכלוסיית המדגם להפוך לגוש רע (bad sector) כאשר יגיע סף הכתיבה בבלוק מסויים. יצרני פלאש SSD טובים משתמשים בשתי דרכים להגדיל את תוחלת החיים של הכוננים: ראשית, אלגוריתם "איזון" הבודק כמה פעמים כל בלוק בדיסק נכתב. אלגוריתמי “wear-balancing” המאזנים את הנתונים בצורה אינטליגנטית, מקטינים את השחיקה של הבלוקים ומשמרים את הדיסק. ניתן לחסום בלוק שנכתב מעל סף אחוז מסוים ברקע. על מנת למנוע ירידת ביצועים ה SSD יחליף את הנתונים בבלוק זה עם נתוני בלוק אחר שסומן "לקריאה בלבד". שנית, בלוקים פגומים כאשר מתרחשים, ממופים בדיוק כמו שקורה גם על דיסק מסתובב.  עם דפוסי שימוש של כתיבת ג'יגה ליום SSD  מבוסס פלאש יאריך ימים מאות שנים, תלוי בקיבולת. אם יש מטמון DRAM בנוסף, יחיה אף יותר.

 

העיקר שלמות הנתונים

רוב יצרני פלאש SSD משתמשים באלגוריתמים לבדיקת שגיאות המסוגלים לתקן כמה בתים בודדים בבלוק של 512 בייטים. חלקם מיישם בדיקת שגיאות miscorrect פחות חזקה של שלוש שגיאות בייט כ %20 מהזמן. מיטב יצרני פלאש SSD יכולים לתקן שש שגיאות בתים אקראיות (ולזהות תשע) בבלוק של 512 בייטים. רמת ביקורת שגיאות גבוהה תבטיח שהכונן יחיה הרבה יותר זמן מאשר אנשי ה IT יצטרכו לדאוג.

שלא ימכרו לכם זיכרון נדיף

שלא כמו ה DRAM, פלאש מטבעו בלתי נדיף.  אקסיומה ישנה קובעת כי  "טווח הקשב של המחשב הוא כאורך כבל החשמל שלו". זה בהחלט נכון לגבי הDRAM. בעוד בזיכרון הפלאש יישמרו הנתונים מעל 10 שנים ללא חשמל, קצת יותר מ 10 אלפיות השנייה ללא מתח וה DRAM  יתחיל לחוות מקרה עצבני ביותר של אמנזיה. בכדי למנוע זאת, SSD  מבוססי  DRAM חייבים להוסיף סוללות  נטענות ודיסקים בכדי לשמור את הנתונים מללכת לאיבוד במהלך הפסקת חשמל. את הסוללות והדיסקים יש לתחזק בכדי שיספיקו להעברת הנתונים אל הזיכרון הבלתי-נדיף. בואו נשקול לפחות שני תרחישים: הפסקות חשמל עלולות לקרות ברצף מהיר, זה עלול לגרום להפעלת גיבוי של SSD כדי להתחיל מחדש, אשר למעשה מרוקנת את הסוללות בטרם עת. משמעות הדבר היא הסוללות לא ישמרו מספיק כוח כדי להשלים מחזור גיבוי. שנית, גיבוי ושיחזור של הנתונים לוקח זמן. זה יכול לקחת 30 עד 60 דקות או יותר. זמן גיבוי לרוב אינו כואב, אך איחזור המידע עלול לגרום להארכת הזמן מרגע ההשבתה. כאשר החשמל חוזר, השרת יכול להיות מוכן זמן רב לפני שנתוני ה SSD משוחזרים מדיסק הגיבוי שלו. מה שאומר שהשרת לא יהיה זמין למשך שעה נוספת בהתאם ליישום – וזה יכול לנוע ממצב של מטרד בלבד עד כדי השבתה עסקית מסכנת.

מארז

רוב  כונני ה SSD מבוססי ה DRAM  גדולים ונמכרים במארזים תעשיתיים .(Rack mount) הם דורשים ספק כוח פנימי גדול, מאווררים, סוללות וכונני דיסקים כדי לשמר נדיפות. לשם השוואה כונני SSD מבוססי פלאש הרבה יותר קטנים,  בדרך כלל בתצורה של דיסק רגיל. לכן מטבעם גמישים יותר בצורת השימוש בהם. לעתים קרובות ניתן להשתמש בהם במקום דיסקים מסורתיים במערכי אחסון או ב bays פנימיים של שרת דיסק. יישומים משובצים ומערכות ניידות דורשים לעיתים קרובות תצורה הרבה יותר קטנה של SSD מבוססי פלאש.

אמינות

שני סוגי ה SSD אמינים למדי שכן יש מעט, אם בכלל, חלקים נעים. משמעות הדבר היא כי שני הסוגים של כונני SSD  הרבה יותר אמינים מאשר דיסקים מסורתיים. עם זאת, בסביבה תובענית ונוקשה יותר, דווקא כונני SSD מבוססי פלאש יפגינו בדרך כלל עמידות גבוהה יותר לוויבראציות ויסבלו טווחי טמפרטורה גדולים יותר מכוננים מבוססי DRAM. חלק מ SSD מבוססי פלאש נחשבים אפילו קשוחים לשימוש בנאס"א ובצבא ארה"ב. אלה ישרדו בתנאים קיצוניים שיהפכו כל תיבת rack-mount לעיי חורבות.

צריכת חשמל והפצת חום

אחד היתרונות של זיכרון פלאש הוא צריכת חשמל נמוכה הרבה יותר מאשר זיכרון הDRAM . לכן, כונני SSD מבוססי פלאש מפיצים הרבה פחות חום מאשר עמיתיהם ה DRAM. זה גם אומר שהם לא צריכים מאווררים הדורשים מרחב וחשמל לעצמם, מה שמייצר חום ורעש.

תג מחיר

מחלקת הIT  לא תרכוש פתרון איחסון מבלי להסתכל על תג המחיר שלו. בעוד ששבבי הDRAM  ושבבי זיכרון פלאש דומים במחיר, העלות הכוללת לכל מגה תהיה בדרך כלל נמוכה יותר עבור כונני SSD מבוססי פלאש. זאת בשל עיצובם הפשוט, חוסר הצורך בסוללות גיבוי ובדיסקים, כמו גם השטח שהם תופסים.

 

אז מהירות הכי חשובה או לא? בחינה מעמיקה של הפונקציונליות ורשימת התכונות השונות, מאפשרת להתאים כוננים "סופר סטארים" מבוססי זיכרון פלאש לצרכים הספציפיים של האירגון.

יצרני ה SSD  פועלים במרץ, בכדי למנף את ביצועי הזיכרון הפנימי של הכוננים, בשני תחומים עיקריים:

  • רמת המקבילות במערך הזיכרון
  • רוחב הפס של הזיכרון הפנימי

 

העלות הגבוהה של ביצועים עיליים

אם נצא מנקודת הנחה שלכל יצרני הכוננים יש גישה לאותם שבבים של RAM או פלאש, צורת החיבורים במערך הזיכרון הפנימי יוצרת הבדלים של עד פי – 10 בין הביצועים של התקני SSD מסחריים. זה לכשעצמו מאלץ מורכבות באיזור הבקר ומייקר את ההתקן. גודל בלוק הזיכרון הפיסי הנדרש גדול יותר עבור הפלאש, עד כדי פי – 50. הבעיה נפתרת חלקית ע"י שימוש בזיכרון מטמון בממשק ה host אך מגדילה את נפח הכתיבה משמעותית.

הבעיה עם פעולות הכתיבה של קלט/פלט בפלאש SSD

פעולות כתיבה נישנות של אפליקציות מסויימות (פוטושופ, משחקי מחשב, וכד'…) אל ומתוך כונן הפלאש יכולות לגבות זמן ארוך בסדר גודל ממה שהיצרנים מדווחים עליו בספציפיקציות שלהם. לפיכך, נדרש לקבוע מאפיין לפיו ניתן יהיה לאמוד ולהשוות יכולות איחסון בין הכוננים השונים. המושג פעולות קלט/פלט אקראיות (Random IOPs) השתרש במשך השנים כקריטריון ביצועים שימושי למידול אפליקציות על גבי שרתים. קריטריון מס' פעולות קריאה/כתיבה אקריאיות הפך מ 2003 לדיבור שגור בעולם השיווק של יצרניSSD  המכוונים לתחום הגבוה של השוק. מה שיפה בקריטריון זה שקל למכור אותו לצרכנים בעלי רקע בכונני איחסון סובבים, מכיוון שהמספרים המצוטטים נותנים הרגשה ריאליסטית מה תקבל אם תחליף את הדיסק המסתובב שלך בכונן SSD. בימים בהם שלטו שבבי הDRAM  כמעט בכל האירגונים שהשמשו בהתקני איחסון SSD, לא היתה לזמני איחזור מידע כתוצאה מפעולת קריאה או כתיבה חשיבות מכרעת, לשתיהן היתה בערך אותה תפוקה. לפיכך, ספקים לא נדרשו להבדיל ביניהן. בטבלה 2 מוצגים מדדים כמותיים המשווים בין טכנולוגיות האיחסון השונות.

[source: Violin Memory]

בפוסט הבא נראה מדוע דווקא גורם האקראיות הפך לאויב הגדול של התקני האיחסון בסיבוב, ה Hard Disk הטובים והמוכרים.

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | 3 תגובות

כיצד אריה יכול לעבור בקוף של מחט ולהיתפס בפונפון של הזנב?

פורסם בתאריך 26 בינואר 2012 על-ידי כפיר דותן

כשהייתי ילד היה נהוג לספר בדיחות לא הגיונית ואני מוצא לנכון להזכיר אחת מהן. "כיצד תופסים אריה עם מחט תפירה?" אז ככה. אומרים לאריה לקפוץ לתוך הקוף של המחט. ואז כאשר האריה עובר דרך החור של המחט, הפונפון של הזנב נתפס. ואז פשוט תופסים אותו. כבר בתור ילד ידעתי שזה לא יכול להיות. איך אריה גדול יעבור בתוך מחט קטנה, ולמה רק  הפונפון של הזנב לא יעבור? הרי הראש יותר גדול. אני חושב שגירסה מודרנית של הבדיחה הזאת מצולמת בסרט הבא – בה מראים כיצד תמנון ענק עובר דרך חור קטן.

YouTube Preview Image

אני מודה שהבדיחה הישנה, והסרט של התמנון החדש עברו בראשי כאשר השתתפתי לראשונה לפני כ 3 שנים באחד הפרויקטים המרתקים שיש  ב MTCG. הפרויקט נקרא באנגלית “Advanced patterning”. אני לא חושב שיש תרגום פשוט אבל הכי קרוב שמצאתי זה "הדפסה מתקדמת ו\או מתוחכמת"… אבל באנגלית זה נשמע יותר טוב, והשם העברי לא משקף את החוכמה והקסמים שעושים ב MTCG  בהקשר לפרויקט זה.

אז מהו בעצם הפרויקט הזה? כפי שהוזכר בפוסטים קודמים  (גם של עמיעד וגם של שירלי) תעשיית חצאי המוליכים רודפת כבר שנים אחרי חוק מור . "כיצד להמשיך ולצופף את הטרנזיסטורים על פרוסת הסיליקון כדי להשיג  ביצועים טובים יותר של הצ'יפים וכיצד יהיה ניתן להרוויח יותר כסף מכול צ'יפ". האתגר הראשון שיש להתמודד במרדף אחרי חוק מור הוא "כיצד להמשיך ולצופף…." הבעיה התחילה להיות מורכבת ביותר כאשר יכולת ההפרדה וההדפסה של תהליך הליטוגרפיה התרחקה יותר ויותר מהדרישות של המיזעור והציפוף. כיצד ניתן להדפיס תבנית של  32 ננומטר או 22 ננומטר כאשר יכולת ההפרדה של התעשייה (אחרי מאמצים נרחבים) "נתקעה" בערך ב 45 ננומטר ? ואיך יום אחד נגיע ל15 ננומטר ו11 ננומטר כפי שמנבא חוק מור ?

על השאלה הזו בדיוק עומלים ומשתפים פעולה בכל העולם טובי המדענים של התעשייה. ובשאלה זו מתרכזים גם המאמצים של תוכנית ה “Advances patterning”.  בפוסט זה אפרט בקצרה אחד מהפתרונות עליהם עובדים  ב-MTC  , פתרון שכבר אומץ על ידי חלק מהלקוחות של אפלייד להדפסה של קווים צפופים במיוחד וכמובן כיצד זה מתקשר לאפלייד ישראל.

העקרון העומד מאחורי תהליך – SADP – Self Aligned Double Patterning – הוא פשוט (אך לא קל לביצוע) – הכפלת צפיפות הקווים על-ידי יצירת קווים בצפיפות ראשונית מרווחת יחסית (קווים רחבים שהודפסו על ידי ליוטוגרפיה בטכנולוגיה קיימת, ידועה ובשלה), והכפלתם על-ידי ציפויים משני הצדדים והסרת הקו המרכזי.

את הרעיון הכללי ניתן לראות בציור למטה שפורסם על ידי Christopher Bencher  מקבוצת ה CTO.

Manufacturable Innovation to keep Moore's Law Alive – Sidewall Spacer Double Patterning
(STS  יפן 2008)

פיתוח תהליך זה התאפשר לביצוע בזכות מכונת ה CD SEM שמיוצרת ומפותחת על ידי אפלייד ישראל. למטה ניתן לראות תמונה של מדידת מרחקים  אוטומטית כפי שפורסמה על ידי Christopher Bencher  מ קבוצת ה CTO.

SPIE-2011-7973-19 Mandrel Based Patterning: Density multiplication techniques for 15nm node

 

בנוסף על כך, כפי שכבר פירטתי בפוסט קודם, מכונות גילוי הפגמים של אפלייד ישראל, תומכות בתהליך הפיתוח של MTC  ועוזרות לגלות את הפגמים הקטנים ביותר וכיצד הם משפעים על התהליך. בתמונה למטה ניתן לראות של "גלגולו של פגם" בתהליך ה SADP.

כפי שפורסם באתר טכנולוגיות בעבודה של "זיהוי וניתוח פגמים בייצור שבבים"  על ידי אופיר מונטל.

לא יודע אם הצלחתי לשכנע "שהדפסה מתקדמת" של קווים של 22  ננומטר עם יכולת הפרדה של 45 ננומטר, כפי שמוצג למעלה, זה קשה כמו לתפוס אריה בקוף של המחט, אבל בכל מקרה אני מקווה שהשתכנעתם  שזה לא פשוט, מצריך הרבה דמיון, מחשבה וכלי בדיקה מתאימים, שזה מה שיש לנו באפלייד ישראל,  להציע וללמוד.

בפוסט הבא הביא דוגמאות נוספת לרעיונות  ועבודות מקורים ב  MTC  אשר מנסים להתגבר  על חוקי הטבע, ופעם כיצד מגעים לקווים של 12 ננומטר עם יכולת הפרדה של 45 ננומטר, כלומר להמשיך ולרדוף אחרי חוק מור עם הכלים שיש לנו כיום.  ואם זה נשמע לכם כמו מדע בדיוני, אז מדי פעם זה נראה ככה בהתחלה לפחות, פרטים נוספים כאמור בפוסט הבא.

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | 4 תגובות

לעשות את הבלתי אפשרי בעזרת ייעול והאצה של אלגורתמים לעיבוד תמונה (חלק ב')

פורסם בתאריך 19 בינואר 2012 על-ידי ליאור יחיאלי

בפוסט הקודם תארתי את גודל האתגר העומד בפני מערכת עיבוד הנתונים של מכונת סריקה המחפשת פגמים על פרוסת סיליקון – לעבד סדרי גודל של 10 גיגה פיקסלים בשניה ולעשות עליהם אלפי פעולות. ואיך עושים את זה? בעזרת תכנות וקטורי.

הרעיון הבסיסי המאפשר להאיץ פעולות עיבוד תמונה מתבסס על העובדה שבכל פקודה ניתן לעבוד על יותר מפיקסל אחד בו זמנית כי אין תלות בין הפעולה שצריך לבצע על פיקסל אחד לזה שצריך לבצע על שכנו. טכניקה זו ידועה כ-  Single instruction multiple data) SIMD).

תכנות זה נקרא גם תכנות וקטורי מכיוון שהפעולה שאנו מבצעים מתבצעת על ווקטור של נתונים בו זמנית.

הרעיון של טכניקה זו מוצג באיור הבא:

נניח שיש 2 תמונות ( Source1,Source2) שעליהם צריך לבצע עיבוד כלשהו הכולל פעולה חישובית (המסומנת ב- Op) בין כל שני פיקסלים מתאימים. תוצאת החישוב עבור פיקסל 0 בתמונת היעד הוא A0 Op B0 , עבור פיקסל 1 הוא A1 Op B1 וכך בהתאמה עבור כל הפיקסלים ובאופן כללי עבור פיקסל n בתמונת היעד התוצאה תהיה An Op Bn .

נניח  לצורך הפשטות שכל נתון הוא בגודל בית (8 ביטים) ואנו מעונינים לבצע פעולת חיבור בין כל שני איברים מ-Source-1 ו- Source-2 בהתאמה.

קוד רגיל בשפת c  למימוש המעבר על תמונות המקור (Source1,Source2) ויצירת תמונת הפלט יהיה כדלקמן:

Source1 ו- Source2 מצביעים על תמונות המקור והם מסוג מצביעים לבית (byte) וכנ"ל destination שמצביע לתמונת המוצא.

כשמנסים להבין יותר לעומק את הפעולות המבוצעות בלולאה הפנימית הן כוללות 2 גישות לזיכרון לצורך קריאת המידע ש- source1  ו- source2 מצבעים עליו לתוך יחידות מידע הנמצאות בתוך המעבד ונקראות רגיסטרים. בין הרגיסטרים המכילים את המידע שנקרא מהזיכרון מתבצעת פעולת חיבור שמאוחסנת ברגיסטר נוסף, ולבסוף התוצאה נשלחת לזיכרון לכתובת המתאימה בתמונת ה- destination.

כלומר הפקודה Destination[i,j]= source1[i,j] + source2[i,j];

מתורגמת לסדרת הפעולות הבאה:

כתיבת קוד כדלקמן תגרום לשימוש ברגיסטרים בהתאם לגודל הנתון (byte  במקרה הנ"ל).

ניתן לשים לב שפעולה פשוטה של חיבור 2 תמונות לוקחת 4 מחזורי מעבד עבור כל פיקסל.

 

בתכנות וקטורי יצרני המעבדים הוסיפו רגיסטרים שיכולים להכיל וקטור של נתונים כלומר מספר רב של בתים במקום אחד. בהינתן רגיסטרים כאלה ניתן לאחסן בהם וקטור של נתונים ולבצע פעולות בניהם. נניח שהרגיסטרים במעבד הם בגודל 16 bytes כלומר גודל הוקטור הוא 16 בתים ונראה את הלולאה הבאה המשתמשת בתיכנות וקטורי כדי להאיץ את ביצוע הלולאה.

את הלולאה הקודמת ניתן לממש בצורה הבאה:

ניתן לשים לב שהלולאה הפנימית מתקדמת ב-16 (במקום ב-1 במימוש הנאיבי). האיור הבא ממחיש

את אופן ביצוע הלולאה במימוש הוקטורי (SIMD Processing).

 

 

 

התוצאה של מימוש הוקטורי הוא ייעול הלולאה והאצתה פי 16 מהמימוש הנאיבי. כלומר הלולאה הפנימית צורכת 4 פעולות מעבד אבל עובדת על 16 פיקסלים בו זמנית לכן בממוצע אנו מנצלים רק 4/16  מחזורי מעבד עבור כל פיקסל במקום 4 מחזורים במימוש הנאיבי כלומר שיפור של פי 16.

נראה פשוט?

לצורך ההסבר בחרתי דוגמא מעט סינטטית. ברוב המיקרים האלגורתמים אינם כה פשוטים ודורשים פעולות מסובכות ומתוחכמות שהמימוש הוקטורי שלהם אינו כה טריוואלי אולם הינו הכרחי. מה עושים ? מפעילים את הראש ומגלים יצירתיות או במילים אחרות פותרים חידות כאשר החידה היא בעצם איך לממש כל אלגורתמים בצורה ווקטורית.

 

לקורא הרוצה לאתגר את עצמו חישבו על הבעייה הבאה.

אנו רוצים לממש בצורה וקטורית פעולת על תמונת מקור כדלקמן. עבור כל פיקסל מתמונת המקור תמונת היעד תכיל את המקסימום מבין הפיקסלים בסביבת 3×3 של הפיקסל עצמו.

נניח כי ברשותנו פעולת maximum וקטורית ופעולות הזזה בין רגיסטרים וקטורים. איך מממשים זאת?

על כך בפוסט הבא.

 

פורסם ב כללי | 2 תגובות

הטרנזיסטור התלת מימדי והאתגרים הייחודיים במציאת הפגמים ובמטרולוגיה

פורסם בתאריך 11 בינואר 2012 על-ידי עמיעד קונלי

הקטנת מימדי הטרנזיסטורים במעגלים משולבים, שולב באופן היסטורי עם פיתוח שיפורים תהליכיים מורכבים שמטרתם היתה הורדת מקורות הזליגה (זליגה = זרם לא רצוי שאינו נשלט על-ידי שער הטרנזיסטור).  זירמי זליגה גבוהים הם בעייתים ולא רצויים, כיוון שבמוצרים בהם נדרשת מהירות עבודה גבוהה, הם יגרמו לחימום יתר ויגרמו לבעיה בפיזור החום, ובמוצרים הניידים (לפטופים, טבלטים, טלפונים סלולריים וכדומה), זרמי הזליגה יגרמו לבזבוז הספק ולכן לקיצור זמן עבודת הסוללה (ומי מאיתנו לא מקטר על סוללה שנגמרת מהר מדי).

עד לטכנולוגיית ה – 22 ננומטר עלה בידי יצרני השבבים המובילים להשיג מטרות אלה בלא צורך לשנות את המבנה המרחבי הבסיסי של הטרנזיסטור. במאי 2011 הכריזה אינטל שטכנולוגיית ה – 22 ננומטר שאמורה להיכנס לייצור במהלך 2011, תיישם טרנזיזסטורים בעלי מבנה תלת מימדי הנקראים טרייגייט (Tri-gate)  או פינפט (FinFET).

מטרת הרשימה הזו היא להסביר את מבנה הטרנזיסטור החדש, ולנסות להבין קצת איך זה משפיע עלינו באפלייד ישראל – מהם אתגרי המטרולוגיה ובדיקת הפגמים הייחודיים למבנה הנ"ל.

האתגר שאמור לפתור הטרנזיסטור התלת מימדי

הקטנת המימדים הפיסיקליים של הטרנזיסטור, פירושה בראש ובראשונה הקטנת אורך התעלה בה זורמים נושאי המיטען. הקטנת אורך התעלה, מקרבת את טרמינל ה – source של הטרזיסטור לטרמינל ה – drain. קירוב זה משמעותו הגדלת זרמי הזליגה הזורמים מתחת לתעלת הטרנזיסטור. כדי להוריד את זרמי הזליגה, מתח העבודה [מתח הספק] יורד גם הוא. אך הורדת מתח הספק גורמת לכך ששער הטרנזיטור לא שולט בנעשה בתעלת הזרימה. כדי להחזיר את השער לשליטה, הקטנת המימדים מלווה גם בהקטנת עובי תחמוצת השער. הקטנה זו אמנם מורידה את זרמי הזליגה התת-ספיים (Sub-threshold leakage), אך מעלה את זרמי הזליגה הזורמים דרך תחמוצת השער.

הטרנזיסטור התלת מימדי מעלה באופן משמעותי את שליטת שער הטרנזיסטור בתעלת הזרימה (כפי שברז מים אמור לשלוט בזרימת המים) ומוריד משמעותית את זרמי הזליגה המהווים בזבוז הספק ומקור חום.

מבנה הטרנזיסטור התלת מימדי

הטרנזיסטור המישורי בנוי משער אחד מישורי, כלומר הזרימה מתרחשת אך ורק במישור האופקי של פרוסת הסיליקון תחת שער הטרנזיסטור. לעומת זאת, הטרנזיסטור התלת מימדי בנוי משלושה שערים, שניים מהם אנכיים והשלישי מישורי. כלומר הזרימה מתרחשת בשני מישורים אנכיים ובמישור אופקי אחד. האיורים הבאים (שמקורם בהכרזה של חברת אינטל מיוני 2011) ממחישים את מבנה הטרנזיזסטורים:

האתגרים המוצבים למכונות בקרת התהליך ומציאת/צילום הפגמים

כיוון שמבנה הטרנזיסטור הוא תלת-מימדי, חשיבות השליטה בזוויות של התבניות המוגדרות עולה לאין שיעור לעומת חשיבותן בטרנזיסטור המישורי. למשל הזווית בה מוגדר מה שמכונה "הסנפיר" של המבנה (Fin), ביחס לאנך קובע את רוחב הטרנזיסטור האנכי. רוחב הטרנזיסטור קורלטיבי ביחס ישר לזרם הטרנזיסטור, לכן השליטה בו היא חשובה. אתגר נוסף הוא מיפוי צפוף יותר של אורך תעלת הטרנזיסטור. מיפוי זה נדרש בשל המבנה התלת מימדי. אתגר מטרולוגי נוסף הוא מדידת עובי שכבות דקות על הקירות האנכיים של המבנה.

קושי נוסף הוא במציאת וצילום פגמים על הקירות האנכיים של המבנים התלת מימדיים. לפגמים על קירות תלת מימדיים צפויה השפעה הרסנית דומה על ביצועי הרכיב כשל פגמים במישור האופקי.

 

לסיכום, העולם התלת מימדי הוא אתגר גדול ליצרני השבבים, אך אתגר מורכב לא פחות למפתחי ויצרני הציוד לבקרה התהליכית.

מתעניינים בנושא? הנה כמה מקורות מידע:

http://download.intel.com/newsroom/kits/22nm/pdfs/22nm-Announcement_Presentation.pdf

http://www.youtube.com/watch?v=YIkMaQJSyP8

http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2032

http://news.cnet.com/8301-13924_3-20059431-64.html

http://www.pcworld.com/article/227260/intels_3d_transistor_why_it_matters.html

http://www.tested.com/news/how-intels-3d-transistors-will-improve-microchip-efficiency/2274/

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

Applied Global University

פורסם בתאריך 5 בינואר 2012 על-ידי תחיה אלון

כל עובד חדש בחברה נתקל ביומו הראשון ב"אגו". אחרי ההלם הראשון הוא מבין שזה בעצם "AGU" ועוד קצת אחרי, כשמבינים שכמו בכל חברה אמריקאית גם השפה האפליידית מורכבת מצירוף של 3 אותיות שהן ראשי תיבות של משהו, מגיעה ההארה: זו "האוניברסיטה של אפלייד".

ההזדמנות לרכוש ידע ומיומנויות במגוון תחומים הקשורים לעבודה היום יומית, בין אם זה ניהול פרוייקטים, הכנת מצגת אפקטיבית, ניהול זמן, הבדלים בינתרבותיים ישראל –(סין, יפן, ארה"ב וכו') כמו גם קורסים טכנולוגים העוסקים בחזית המחקר של תעשית האלקטרו אופטיקה והמוליכים למחצה.

תעשיית המוליכים למחצה מאופיינת בהיותה תעשיה מורכבת, דינמית, רב תחומית, משתנה, תחרותית, וכזו הפועלת בחזית הטכנולוגיה.
בסביבת עבודה שכזו על כל עובד לרכוש ידע ומיומנויות חדשים בהתאם לשינויים התכופים בתחומו, על מנת שיוכל להתמודד עם האתגרים העכשוויים ואתגרי המחר של התעשיה.

מסיבה זו קיים באפלייד מערך למידה והדרכה המורכב משלושה גופים עיקריים, המספקים לעובדים סביבת למידה עדכנית להשגת יעדי החברה: הסיפריה האלקטרונית (eLibrary), גוף ההדרכה הטכנית של המוצרים (AGS-TS), וקבוצת הלמידה הגלובלית הידועה גם בכינוייה -
Applied Global University) AGU).

קבוצת הלמידה הגלובלית אחראית על הקניית ידע ומיומנויות בתחומי הנדסה, טכנולוגיה, שיווק, מכירות, ניהול פרוייקטים, ניהול אנשים, ומיומנויות "רכות" (כמו עבודה בארגון מטריציוני, הבדלים בינתרבותיים ועוד). הקורסים מתוכננים כך שיתאימו לעובד בכניסה לתפקיד, התמקצעות בתפקיד או פיתוח כישורים להתקדמות או מעבר תפקיד.

בתפקידי כמנהלת ההדרכה הטכנולוגית הגלובלית של החברה, המטרה העומדת לנגד עיניי היא לספק קוריקולום טכנולוגי עדכני שיביא למינוף ביצועי המהנדסים בקבוצות הפיתוח השונות בעולם, להשגת יעדי החברה בכל זמן נתון.
קוריקולום המשקף את הקשת הטכנולגית של התעשיות בהן אנו פועלים (מוליכים למחצה, אנרגיה סולרית, מסכים, LED ואחסון) המתמקד בשני תחומים משלימים: טכנולוגיות הלקוחות מחד ובטכנולוגיות הליבה המיושמות במוצרי החברה מאידך. זאת בהלימה לשניים משלושת ערכי החברה: "קירבה ללקוח" ו"ביצועים ברמה עולמית". (World Class Performance& Close to the Customer)

בתחום תעשיית המוליכים למחצה מושם הדגש על שני היבטים עיקריים:

1. טכנולוגיות הלקוחות (יצרני השבבים): הן הבסיס והן הכיוונים העתידיים. לפיכך מוצעים:

  • קורסים בסיסיים להכרת הטכנולוגיה של הלקוחות. לדוגמא: תהליך יצור שבבים, ניהול תנובת קו יצור שבבים, מיקרוליטוגרפיה, מסכות, שכבות דקות ועוד
  • קורסים העוסקים בכיוונים הטכנולוגים החדשים אליהם נוטה התעשיה, כמו
    Extreme Ultra Violet Lithography (EUVL)  , 3D packaging, ALD , נושאים אשר נדונו בעבר ע"י חבריי לבלוג זה.

הקורסים מועברים בדרך כלל ע"י מומחים חיצוניים מהתעשייה או מומחי החברה, חוקרים מאוניברסיטאות מובילות בעולם, חברי מאגד כמו SEMATECH או נציגי לקוחות.

2. טכנולוגיות הליבה והמצאות המיושמות במוצרי החברה Core & Enabling technologies
כמו קורסי פלסמה, RF, עיבוד תמונה, אופטיקה, לייזרים  ועוד, המועברים ע"י מרצים מהאקדמיה העוסקים בחזית המחקר, חברי מאגדים או מומחי החברה המלמדים על ההמצאות הישומים הטכנולוגים החדשים.

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

עלו על אוטובוס המדעים

פורסם בתאריך 22 בדצמבר 2011 על-ידי אנתיאה קסל

שאלה: מה הקשר בין ערכות לגו, אוטובוס ורכב מסחרי?
תשובה: אפלייד מטיריאלס

מבולבלים?

לא, עדיין לא נכנסנו לשוק הרכבים ובטח לא לשוק הצעצועים.
הקשר הוא ששלושת הדברים האלו קשורים לפרויקטים הקהילתיים שלנו בתחום המדע וטכנולוגיה.
לא תופתעו לשמוע שכחברה טכנולוגית מובילה אנו מתמקדים בתוכניות המעודדות לימודי מדעים וטכנולוגיה.
אז איך זה קשור בדיוק לאוטובוס?

לפני ארבע שנים נעננו לבקשה של עמותת אופנים לממן את התפעול של אוטובוס המדעים שלהם הפועל בצפון.
אוטובוס מדעים?

האוטובוס המגניב הזה הוא מאין כיתה נודדת המאובזר בשלל ציוד מדעי.

האוטובוס מגיע לישובים מרוחקים באופן קבוע ובתוכו מתנהלים פעילויות העשרה מדעיים לילדים

 

והלגו?
כבר כמה שנים טובות אפלייד שותפה לתחרות ה- FLL, תחרות שמטרתה לחשוף תלמידים לעולם האמיתי של אתגרים הנדסיים ולהתמודד עם בעיות מדעיות טכנולוגיות תחת אילוצי זמן ומשאבים. מטרת העל של התוכנית – לעודד צעירים להיות המנהיגים של המחר בעולם המדע וטכנולוגיה.

ב-2011 השתתפו בתחרות מעל 1,500 תלמידים מכל רחבי הארץ. עובדי אפלייד מתנדבים בפרויקט במהלך השנה.

ומה הסיפור של הרכב המסחרי?
מדובר בניידת המדענוע של מכון וייצמן למדע שאת פעילותה אנו מממנים בבתי ספר עם מדד טיפוח גבוה.

הניידת מגיעה לבתי ספר וחושפת את התלמידים לצד המשעשע והמהנה שבלימוד עקרונות מדעיים.
מערכים כמו: "ממטבחו של ד"ר וייצמן", "מראה מראה מה את רואה" ו"כמעט הכל על הקול" הם דוגמאות לנושאי הפעילות.

מאז תחילת שיתוף הפעולה בין מכון וייצמן ואפלייד, השתתפו עשרות אלפי תלמידים בפעילות המדענוע.

 

זמן מדע

חלק מבתי הספר שאליהם מגיע המדענוע זוכים גם לתוכנית העשרה נוספת, בת 5 מפגשים. במפגשי "זמן מדע" נחשפים הילדים לתחומי מדע שונים באמצעות למידה חוויתית וייחודית. לרוב זו פעילות ההעשרה המדעית היחידה שהילדים בבתי ספר האלו מקבלים במהלך השנה.

ביחד עם השותפים המדהימים שלנו אנחנו מקווים שנוכל בדרך הקטנה שלנו להלהיב, לסקרן ולעודד יותר ויותר תלמידים לבחור במסלולים מדעיים בהמשך לימודיהם.

בינתיים נאחל לכל המשתתפים בתוכניות שלנו בשנת הלימודים תשע"ב בהצלחה ו"נסיעה טובה" …

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , | הוסף תגובה

השקט שאחרי הסערה …. כונני איחסון מבוססי צ'יפים

פורסם בתאריך 15 בדצמבר 2011 על-ידי חדווי שפילברג

השנה היא 2020 בחברת תוכן מובילה. פעם נהגנו לקרוא להן תחנות שידור. ההתקן הסובב היחיד בחדרי איחסון השרתים יהיו מאווררי התקרה. אם נפתח את אחד הכוננים נגלה בו מערך של שבבי זיכרון (צ'יפים), ללא חלקים נעים. 60 שנות זיכרון בסיבוב הסתיימו להן.

העובד החדש בשכונה הוא ה Solid State Drive) SSD) שמחליף בהדרגה את אחיו הוותיק המוכר והטוב Hard Disk Drive) HDD).

מה זה בכלל SSD ובמה הוא שונה מ HDD ?

כונן  דיסק קשיח HDD (גם כונן קשיח או דיסק קשיח) הוא התקן אחסון מגנטי בלתי נדיף, בעל גישה אקראית לנתונים דיגיטליים. הוא כולל מגשים נוקשים הסובבים על ציר המונע בתוך מארז מגן. הנתונים נקראים באופן מגנטי מן ונכתבים אל המגש על ידי ראשי קריאה/כתיבה הצפים על גבי שכבת אוויר מעל מגשים. מאז הוצגו לראשונה על ידי IBM בשנת 1956, ירדו הכוננים הקשיחים במשך השנים בגודלם הפיזי ובעלות מחד, תוך הגדלה משמעותית בקיבולת, מאידך והיו המכשיר הדומיננטי עבור אחסון נתונים במחשבים מאז שנות ה-60 המוקדמות.

(HDD (iStockphoto

HDD פועלים כיום ע"י ממשקים סדרתיים בעלי מהירות גבוהה למשל Serial ATA) SATA) או Serial Attached SAS) SCSI). תהליך הייצור של ה HDD כולל כתיבה על גבי דיסק מאסטר מגנטי בקרן אלקטרונים של מיליארדי גבשושיות סיליקון המסודרות קונצנטרית במרחקים של כ 100nm זו מזו. ראש הקריאה/כתיבה שנע מעל אותן גבשושיות בדיוק מירבי, דומה למחט הפטיפון שהיתה "מנגנת" על פני השטח של תקליט וויניל ישן של סינטרה. הביקוש העולמי הגובר לאיחסון דיגיטלי ממשיך להניע פיתוח טכנולוגיות שיגדילו את הצפיפות האזורית של אותן גבשושיות על גבי הדיסקים הקשיחים. כיום כבר ניתן לייצר בשיטות המאפשרות רזולוציה של 25nm בין הגבשושיות. אם ניקח בחשבון שכל גבשושית סיליקון קטנטונת יכולה לאחסן ביט אחד של זיכרון מגנטי ברגע נתון ואת אפשרות השיכפול המוזילה בצורה ניכרת את תהליך ייצור הדיסקים, נבין מדוע קיימת דחיפה משמעותית של יצרני ההארד דיסקים למכור כונני איחסון זיכרון סובבים.

מפת הדרכים של היצרנים המובילים נותנת מענה לצפיפויות בסדר גודל של 1Tb/in2 , כלומר 1 טרה-בייט של אינפורמאציה לכל אינץ' רבוע. למעשה הדיסקים הקשיחים (ה HDD) נותנים את המענה הטוב ביותר מבחינת קיבולת, עלות, וצפיפות נתונים לדרישות האיחסון הקיימות כיום. אך האם יהיה זה נכון גם בעוד 5 שנים ?

עלות הייצור של דיסק מדיה מגנטית מודפסת גם בטכנולוגיות המתקדמות היא כ 5$ בממוצע. בכדי לשמר, למשל, רוחב פס של 6Gbps (שישה ג'יגה ביט בכל שניה) נדרשים יצרני הכוננים הקשיחים להוסיף זיכרון מטמון בו מאוחסנים רק הנתונים הרלוונטיים ביותר בתוך סקטורים דחוסי אינפורמאציה הנקראים אל המחשב המארח בכל פעם. על פי עיקרון התפוקה השולית הפוחתת קיימת נקודה שמעבר לה בניית "מטמון" ענק אינה עוד יתרון. הרעיון המרכזי של תוספת הזיכרון שהינה לאפשר זמן איחזור מידע קצר ביחס לרוחב פס גדול הולכת לאיבוד, פשוט מכיוון שנדרש יותר זמן לחפש את המידע שבו ויותר מסורבל לשמר אותו. ככל שהכונן יהיה יותר זמן עסוק בלשמר מידע מעודכן ומלא במטמון, קיים סיכוי רב יותר שמשתמש הקצה יחוש בירידה בביצועים. ההתפתחות הטכנולוגית של תעשיית המוליכים למחצה הביאה לאפשרות שימוש בהתקני איחסון מסוג חדש.

SDD מורכב משבב זיכרון בתוספת בקר שנועד לנהל את זרימת הנתונים בין כונן האיחסון לבין המחשב, ללא חלקים מכנים נעים. השאלה הראשונה שנשאלת היא האם זכרון המבוסס מוליכים למחצה (צ'יפ למעשה) יהיה מסוג DRAM  או מסוג פלאש NAND. הוויכוח בין שימוש בשבב זיכרון מסוג DRAM לבין Flash – מהירות -  היא שם המשחק.

ידוע כי כתיבה לזיכרון פלאש איטית יותר מאשר כתיבה לזיכרון DRAM. האין מהירות הינה המטרה העיקרית של התקנת SSD מלכתחילה? - כן ! יחד עם זאת, לומר כי התקן איחסון בטכנולוגיית הפלאש איטי יותר מאשר ה DRAM היא למכור את הטכנולוגיה בזול. ראשית,  נתוני הקריאה לזיכרון פלאש דומים מאוד למהירות הקריאה של ה DRAM. שנית, היצרנים הטובים יותר של פלאש SSD נוהגים לשלב זיכרון מטמון מסוג DRAM בכוננים בכדי להאיץ את הכתיבה. למיטב היצרנים יש אלגוריתמים במכשירים אשר מסוגלים לשטוף את הנתונים מזיכרון המטמון לזיכרון הפלאש ברקע מבלי להשפיע על הביצועים.

אם נשווה בגרף אחד את ביצועיהם היחסיים של שני סוגי ה SSD לעומת דיסקים מסורתיים מסתובבים, זה ייראה כך:

[מבוסס על נתוני יצרני התקנים שונים]

ניתן לראות שאפילו אם התקנים מבוססי DRAM מהירים פי- 3 מהתקנים מבוססי Flash עדיין שניהם מהירים בשלושה סדרי גודל מממהירות הכתיבה לדיסק הסובב. אם כך, האם הבדלי המהירות בין השבבים משמעותית מספיק בכדי שתהיה אבן הבוחן היחידה העומדת לרשות ראשי מחלקת ה IT בחברה גדולה בבואם לבחור התקן איחסון אחד על משנהו ?

בפוסט הבא נבחן את מכלול ההבדלים הטכנולוגיים בין התקני SDD מבוססי DRAM לבין אלו המבוססים על NAND פלאש ונבין (אולי) לאן נושבת הרוח…

פורסם ב כללי | תויג ב , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , , | 2 תגובות